| 发明名称 | 半导体装置、其制造方法及使用其的固态图像拾取装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体装置、其制造方法及使用其的固态图像拾取装置，包括：经过栅绝缘膜在半导体基板上形成的栅极；在所述半导体基板中在所述栅极的源极侧形成的扩展区；经过所述扩展区在所述半导体基板中在所述栅极的源极侧形成的源极区；在所述半导体基板中在所述栅极的漏极侧形成的LDD区；以及经过所述LDD区在所述半导体基板中在所述栅极的漏极侧形成的漏极区；其中以比所述LDD区的浓度高的浓度形成所述扩展区，以使所述扩展区比所述LDD区浅。 | ||
| 申请公布号 | CN101728432A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910206582.8 | 申请日期 | 2009.10.22 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 中村良助 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：经过栅绝缘膜在半导体基板上形成的栅极电极；在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成的扩展区；经过所述扩展区在所述半导体基板中在所述栅极电极的源极侧形成的源极区；在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成的轻度掺杂漏极区；以及经过所述轻度掺杂漏极区在所述半导体基板中在所述栅极电极的漏极侧形成的漏极区；其中以比所述轻度掺杂漏极区的浓度高的浓度形成所述扩展区，以使所述扩展区比所述轻度掺杂漏极区浅。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||