发明名称 | 超大功率、超低噪声射频接收前端模块及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明是超大功率、超低噪声射频接收前端模块及其制备方法,其结构在大功率开关的基础上集成低噪放芯片构成接收前端,两通道间切换控制由集成硅驱动芯片实现。制备方法:在高导热的RO4350基板上用银浆粘接AIN衬底、集成硅驱动芯片和PIN二极管芯片;AIN衬底上用银浆粘接大功率PIN二极管芯片;PIN二极管、集成硅驱动芯片与RO4350基板间用键合金丝连接;砷化镓低噪放集成电路芯片用银浆粘接在RO4350基板和ANT-RX通道上构成接收通路。优点:满足TD-SCDMA系统基站功放超大功率切换控制的长时间/极限条件下大功率工作条件,工作安全可靠。满足低噪声系数要求,接收灵敏度和集成度高,成本低,性能优。 | ||
申请公布号 | CN101714884A | 申请公布日期 | 2010.05.26 |
申请号 | CN200910232878.7 | 申请日期 | 2009.10.21 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 黄贞松;李剑群 |
分类号 | H04B7/005(2006.01)I | 主分类号 | H04B7/005(2006.01)I |
代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人 | 沈根水 |
主权项 | 超大功率、超低噪声射频接收前端模块,其特征是ANT-TX通道采用一个低串联电阻、低热阻的大功率PIN二极管作为开关元件,ANT-RX通道采用两个小电容,低串联电阻的中功率PIN二极管作为开关元件;这样制作的开关电路在ANT-TX与ANT-RX两个通道间形成两个不对称通道,两个不对称通道间的切换控制由集成硅驱动芯片实现,在ANT-RX通道后级连接一个砷化镓集成低噪放芯片,构成接收通道。 | ||
地址 | 210016 江苏省南京市中山东路524号 |