| 发明名称 | 存储装置、制造存储装置的方法及对存储装置的编程方法 | ||
| 摘要 | 一种磁阻性随机存取内存(MRAM)(400)，其在内存数组(411)内之所有内存胞元系具有大体上相同长度及电阻之写入路径。电流/电压控制(CVC)电路系相对内存数组(411)地放置，藉以使内存数组(411)之所有内存胞元中、沿着磁阻性随机存取内存(MRAM)(400)之导电线均具有大体上相同之写入路径长度，进而确保沿着写入路径的电阻系大体上相等的，且因此，电流/电压控制(CVC)电路提供写入内存数组(411)之内存胞元之写入电流数量系大体上相等的。 | ||
| 申请公布号 | CN1535467B | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
| 申请号 | CN02807174.3 | 申请日期 | 2002.01.25 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司 | 发明人 | S·拉姆梅斯 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;G11C5/02(2006.01)I;G11C5/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;李丙林 |
| 主权项 | 一种内存装置，包括：复数内存单元，其排列为一数组；复数第一导电线，其放置于所述内存单元下方，所述第一导电线依照一第一方向放置；复数第二导电线，其放置于所述内存单元上方，所述第二导电线依照一第二方向放置，所述内存单元放置于所述第一导电线及所述第二导电线之交叉点；以及复数电流/电压控制电路，具有一电流源及一电流汲极，所述电流/电压控制电路耦接于所述第一导电线及所述第二导电线之各个端点，其中，所述内存单元经由所述电流/电压控制电路之一施加一电流至所述第一及第二导电线之相对端点之一电流/电压控制电路而进行存取，其中，所述电流/电压控制电路进行排列，以使对于各个存取的内存单元来说，所述第一及第二导电线在各个电流源及电流汲极间的长度相等。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||