| 发明名称 | 氮化物纳米线及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体的生长，适用于多种半导体器件，例如二极管、LED和晶体管。根据本发明的方法，利用基于CVD的选择性区域生长技术生长氮化物半导体纳米线。在纳米线生长步骤中存在氮源和金属-有机源，并且在纳米线生长步骤中至少该氮源流速是持续的。本发明方法利用的该V/III-比率明显低于与通常氮化物基半导体生长相关的V/III-比率。 | ||
| 申请公布号 | CN101681813A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880002009.9 | 申请日期 | 2008.01.14 |
| 申请人 | 昆南诺股份有限公司 | 发明人 | W·塞弗特;D·阿索利;毕朝霞 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种利用基于CVD的选择区域生长技术来生长氮化物基半导体纳米线的方法，其中在纳米线生长步骤中存在氮源和金属-有机源，该方法特征在于在纳米线生长步骤中，该氮源流速是持续的。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||