半导体发光装置之制造方法

摘要

本发明系提供一种可将放射角度低纵横比化，并可以短时间对应放射角度之要求，并且可提升晶圆内之良品率的半导体发光装置之制造方法。本发明系一种半导体发光装置之制造方法，包含有以下制程：于基板上形成依序积层有第1导电型覆盖层、活性层及第2导电型覆盖层之化合物半导体层；及于欲作为从化合物半导体层内之波导路径射出输出光之端面之领域的波导路径，形成低折射率领域，而该低折射率领域系有效折射率较导波路径之其他领域小者。又，形成低折射率领域的制程包含利用决定低折射率领域之波导路径长度方向的幅度，使半导体发光装置之输出光的放射角度成为所希望之值，以形成前述低折射率领域之制程。

主权项

一种半导体发光装置之制造方法，包含有以下制程：于基板上形成化合物半导体层，而该化合物半导体层系依序积层有第1导电型覆盖层、活性层及与前述第1导电型不同的第2导电型覆盖层者；及于欲作为从前述化合物半导体层内之波导路径射出输出光之端面之领域的前述波导路径，形成低折射率领域，而该低折射率领域系有效折射率较前述导波路径之其他领域小者，又，前述形成前述低折射率领域的制程包含利用决定前述低折射率领域之前述波导路径长度方向的幅度，使半导体发光装置之前述输出光的放射角度成为所希望之值，以形成前述低折射率领域之制程。