绝缘栅型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。目前，使1层金属电极层与元件区域接触，在该金属电极层上固着接合引线。要降低装置的接通电阻，期望加厚金属电极层的膜厚，但图案形成的精度有限。另外，当采用Au细线作接合引线时，随时间的推移，形成Au/Al共晶层，出现元件区域的层间绝缘膜给以压力的问题。金属电极层为2层。第一电极层如目前以与元件区域吻合的微细的间隔距离形成图案。另一方面，第二电极层只要与第一电极层接触即可，即使间隔距离加宽也没有问题。即，可以使第二电极层形成所希望的膜厚。另外，通过在引线接合区域下方的第一电极层上配置氮化膜，从而即使因Au/Al共晶层引起体积膨胀的情况下，也可以防止其应力传递到元件区域。

主权项

1、一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，包括：设于半导体衬底上且具有栅极电极并进行晶体管动作的绝缘栅型半导体元件区域；设于所述栅极电极上的层间绝缘膜；第一电极层，其至少包覆所述元件区域和所述层间绝缘膜上，与该元件区域连接；绝缘膜，其包覆所述第一电极层的一部分；第二电极层，其覆盖所述第一电极层及所述绝缘膜上，与从该绝缘膜露出的所述第一电极层接触；所述第一电极层具有第一开口部，所述第二电极层具有第二开口部，所述第一开口部的开口宽度和所述第二开口部的开口宽度大小不同。