| 主权项 |
1.一种具有源极/汲极提高之金氧半电晶体的制造方法,适用于形成有闸极、源/汲离子区域之半导体基底,包括下列步骤:在上述半导体基底形成绝缘层;选择性蚀刻上述绝缘层,以形成一露出上述源极/汲极离子区域之开口;全面性沈积一导电层;选择性蚀刻上述导电层,以在上述开口处形成一导电垫;进行离子植入步骤,以形成一提高之源极/汲极。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中上述半导体基底系单晶矽基底。3.如申请专利范围第2项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中上述绝缘层系厚度介于250~500埃的二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中上述导电层系复晶矽层。5.如申请专利范围第4项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中上述导电层的厚度介于300~1000埃之间。6.如申请专利范围第4项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中形成提高源极/汲极区域之后,更包括进行自我对准金属制程的步骤,以降低上述源极/汲极与闸极之阻値。7.一种具有源极/汲极提高之金氧半电晶体的制造方法,适用于形成有闸极、源/汲离子区域之半导体基底,包括下列步骤:在上述半导体基底形成氧化层;选择性蚀刻上述氧化层,以形成一露出上述源极/汲极离子区域之开口;全面性沈积一复晶矽层;选择性蚀刻上述复晶矽层,以在上述开口处形成一复晶矽垫;进行离子植入步骤,以形成一提高之源极/汲极;进行自我对准金属制程,以降低上述源极/汲极与闸极之阻値。8.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中上述半导体基底系单晶矽基底。9.如申请专利范围第8项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中上述氧化层系厚度介于250~500埃的二氧化矽层。10.如申请专利范围第7项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中上述复晶矽层的厚度介于300~1000埃之间。 |
