具深沟式电荷补偿区域之半导体装置及方法

摘要

在一项具体实施例中，一种半导体装置系在半导体材料的本体中形成。该半导体装置包括在装置之主动部分附近形成的电荷补偿沟渠。该电荷补偿沟渠包括以包括相反导电率类型层之各种半导体材料层填充的沟渠。