| 发明名称 | 沟槽栅型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种防止栅极漏电流的发生，并降低栅极电容的沟槽栅型晶体管。其在N-型半导体层(12)上形成沟槽(14)。在沟槽(14)中，在N-型半导体层(12)中成为晶体管的活性化区域的区域形成薄的硅氧化膜(15B)。另一方面，在不成为活性化区域的区域形成比硅氧化膜(15B)厚的硅氧化膜(15A)。并且，形成从沟槽(14)内向外延伸的伸出部(16S)与硅氧化膜(15A)相接的栅电极(16)。由此，在栅电极(16)的伸出部(16S)中，由于可将栅电极(16)与N-型半导体层(12)的角部(12C)的距离确保为较长，所以，不仅可防止栅极漏电流的产生，而且可降低栅极电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101584048A | 申请公布日期 | 2009.11.18 |
| 申请号 | CN200880000659.X | 申请日期 | 2008.09.26 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 岛田聪;山冈义和;藤田和范;田部智规 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1、一种沟槽栅型晶体管，其特征在于，具备：半导体层；在形成于所述半导体层的沟槽之内形成，延伸到所述沟槽之外的所述半导体层上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极；形成在所述半导体层的表面附近，与所述沟槽的侧壁上的所述栅极绝缘膜相接的主体层，所述栅极绝缘膜具备：在与所述主体层相接的部分具有第一膜厚的第一栅极绝缘膜；在从所述沟槽内延伸到所述沟槽之外的所述半导体层上的部分，具有比所述第一膜厚厚的第二膜厚的第二栅极绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||