电特性变化较小的半导体器件的制造方法及系统

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有栅电极以及在该栅电极侧面的半导体衬底中形成的一对扩散层。该方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成绝缘膜及栅电极，获得在半导体衬底表面形成的受影响层的厚度，通过基于预设的注入参数将杂质元素注入栅电极侧面区域内的半导体衬底中而形成一对扩散层，基于预设的热处理参数执行激活热处理，以及在获得步骤与扩散层形成步骤之间设置的参数导出步骤，在该参数导出步骤中相应于获得的受影响层厚度导出注入参数或热处理参数，以将扩散层设定为具有预设的薄层电阻。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有栅电极以及在该栅电极侧面的半导体衬底中形成的一对扩散层，该方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成绝缘膜及栅电极；获得在离化的蚀刻气体冲击该半导体衬底时或等离子灰化时在该半导体衬底的部分表面形成的受影响层的厚度；基于预设的注入参数，将杂质元素注入所述栅电极侧面区域内的半导体衬底中而形成一对扩散层；基于预设的热处理参数执行激活热处理；以及在所述获得受影响层厚度的步骤与所述形成一对扩散层的步骤之间设置参数导出步骤，在所述参数导出步骤中相应于获得的受影响层厚度导出该注入参数或热处理参数，以将所述扩散层设定为具有预设的薄层电阻。