GaN基半导体发光元件及其制作方法

摘要

一种GaN基半导体发光元件，其中压电自发极化在有源层的厚度方向被抑制同时降低了发光二极管的驱动电压。GaN基半导体发光元件包括在层中顺序地形成的具有与A面平行的顶面的第一导电类型的第一GaN基化合物半导体层(21)、具有与A面平行的顶面的有源层(22)、具有与A面平行的顶面的第二导电类型的第二GaN基化合物半导体(23)以及由GaN基化合物半导体组成的具有与A面平行的顶面的接触层(24)。第一电极(25)形成于第一GaN基化合物半导体层(21)上，和第二电极(26)形成于接触层(24)上。

主权项

1.一种制作GaN基半导体发光元件的方法，包括步骤：(a)在蓝宝石衬底的R面上形成多个种子层，所述种子层由GaN基化合物半导体组成并彼此分离；(b)从所述种子层由侧向外延生长形成第一下垫GaN基化合物半导体层，然后所述侧向外延生长在所述第一下垫GaN基化合物半导体层的相对的侧面彼此接触之前停止，每个所述第一下垫GaN基化合物半导体层具有平行于A面的顶面；(c)形成掩模层，每个所述掩模层布置于对应的一个所述第一下垫GaN基化合物半导体层于所述种子层上方的顶面的部分上；(d)从所述第一下垫GaN基化合物半导体层的顶面由侧向外延生长形成第二下垫GaN基化合物半导体层，每个所述第二下垫GaN基化合物半导体层布置于对应的一个所述第一下垫GaN基化合物半导体层的顶面上和布置于对应的一个所述掩模层上，每个所述第二下垫GaN基化合物半导体层具有平行于A面的顶面，并且第三下垫GaN基化合物半导体层从所述第一下垫GaN基化合物半导体层的相对的侧面由侧向外延生长形成，同时所述第二下垫GaN基化合物半导体层由侧向外延生长形成；(e)在所述第二下垫GaN基化合物半导体层上形成具有第一导电类型并具有平行于A面的顶面的第一GaN基化合物半导体层；(f)在所述第一GaN基化合物半导体层上形成顶面平行于A面的有源层；(g)在所述有源层上形成具有第二导电类型并具有平行于A面的顶面的第二GaN基化合物半导体层；以及(h)在所述第二GaN基化合物半导体层上形成由GaN基化合物半导体组成并具有平行于A面的顶面的接触层。