发明名称 |
光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统 |
摘要 |
本发明公开了光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。在包括电荷保持部分的光电转换装置中,与构成所述电荷保持部分的半导体区域接触的元件隔离区域的一部分以与所述半导体区域相比等于或大于所述半导体区域的深度的级别从基准表面延伸到半导体衬底中,所述基准表面包括光电转换元件的光接收表面。 |
申请公布号 |
CN101556961A |
申请公布日期 |
2009.10.14 |
申请号 |
CN200910134814.3 |
申请日期 |
2009.04.09 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
渡边高典 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杨国权 |
主权项 |
1.一种光电转换装置,包括:半导体衬底;第一导电类型的第一半导体区域,被布置在所述半导体衬底中,并且包括光电转换元件的一部分;第一导电类型的第二半导体区域,被布置在所述半导体衬底中,并且保持所述第一半导体区域中生成的电荷;栅极电极,被布置在所述半导体衬底上,并且传递来自所述第二半导体区域的电荷;第一导电类型的第三半导体区域,被布置在所述半导体衬底中,其中,所述电荷由所述栅极电极传递到所述第三半导体区域;用于限定第一活性区域的元件隔离区域,被布置在所述半导体衬底中并且具有绝缘体;以及第四半导体区域,在所述半导体衬底中沿着所述元件隔离区域的侧壁被布置,用于抑制来自所述元件隔离区域的暗电流,其中,所述第二半导体区域被布置在所述第一活性区域中,并且具有与所述第四半导体区域的至少一部分的界面,以及所述元件隔离区域的一部分以等于或大于所述第二半导体区域的深度的深度从基准表面延伸到所述半导体衬底中,所述基准表面包括所述光电转换元件的光接收表面。 |
地址 |
日本东京 |