发明名称 内连线结构及其制作方法
摘要 一种内连线结构,此内连线结构包括基底、导体阻障层、介电层与奈米碳管。基底中具有导电区。导体阻障层配置于导电区上,且导体阻障层的材料为以铁、钴或镍为基底的化合物。介电层配置于基底上。奈米碳管配置于介电层中且与导体阻障层电性连接。
申请公布号 TWI315560 申请公布日期 2009.10.01
申请号 TW095134566 申请日期 2006.09.19
申请人 国立清华大学 发明人 曾子纯;游萃蓉
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项 一种内连线结构,包括:一基底,该基底中具有一导电区;一导体阻障层,配置于该导电区上,且该导体阻障层的材料为以铁、钴或镍为基底的化合物;一介电层,配置于该基底上;以及一奈米碳管,配置于该介电层中且与该导体阻障层电性连接。
地址 新竹市光复路2段101号