无微管碳化硅及其相关制备方法

摘要

本发明公开了一种无微管单晶碳化硅(SiC)及其相关制备方法。通过将源材料和晶籽固定器上的晶籽材料放置在升华系统的反应坩埚中生长SiC，其中包括至少所述源材料、所述晶籽固定器、以及所述反应坩埚的所述升华系统的构成组件基本无有害杂质。在PVT工艺期间，控制生长温度、生长压强、SiC升华通量和组分、以及所述源材料与所述晶籽材料或生长在所述晶籽材料上的SiC晶体之间的温度梯度，消除诱发微管的工艺不稳定性、并且在所述晶籽材料上生长无微管SiC晶体。

主权项

1、一种在升华系统中利用物理气相传输(PVT)工艺沿名义上的c轴生长方向生长碳化硅(SiC晶体)的方法，其中，所述晶体完全无微管缺陷，所述方法包括：将晶籽材料连接于晶籽固定器，并在所述晶籽材料和所述晶籽固定器之间形成均匀热接触；将源材料和连接于所述晶籽固定器的晶籽材料放置在反应坩埚中，其中包括至少所述源材料、所述晶籽固定器、以及所述反应坩埚的所述升华系统的构成组件基本无有害杂质；以及在PVT工艺期间，控制生长温度、生长压强、SiC升华通量和组分、以及所述源材料与所述晶籽材料或生长在所述晶籽材料上的SiC晶体之间的温度梯度，从而消除诱发微管的工艺不稳定性、并且在所述晶籽材料上生长无微管SiC晶体。