| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件及其制作方法，特别有关于一种可以减少压降的半导体元件中半导体芯片及其制造方法。所述半导体元件包括半导体芯片，半导体芯片包括一第一表面区、多个第一接触垫、一保护层、多个第一开口和一第一传导中间层。保护层位于多个第一接触垫上，多个第一开口形成于保护层上，以暴露些第一接触垫，第一传导中间层形成于第一表面区上，填满第一开口，以连接第一接触垫。 | ||
| 申请公布号 | CN101527289A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200910004513.9 | 申请日期 | 2009.03.06 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 张圣明;饶哲源;李锦智 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件包括：一半导体芯片，包括：一第一表面区；多个第一接触垫；一保护层，位于所述这些第一接触垫上；多个第一开口，形成于所述保护层上，以暴露所述这些第一接触垫；及一第一传导中间层，形成于所述第一表面区上，填满所述这些第一开口，以连接所述这些第一接触垫。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||