半导体装置

摘要

一半导体装置系具有一第一传导类型的一第一及一第二主动区，其配置于一半导体基材上；一第二传导类型的一第三及一第四主动区，其配置于半导体基材上，第二及第四主动区分别具有大于第一及第三主动区尺寸之尺寸；一第一导电图案，其配置为与第一主动区相邻且具有一第一宽度；一第二导电图案，其配置为与第二主动区相邻且具有一大于第一宽度的第二宽度；一第三导电图案，其配置为与第三主动区相邻且具有一第三宽度；及一第四导电图案，其配置为与第四主动区相邻且具有一小于第三宽度的第四宽度。