| 发明名称 | 非保形绝缘薄膜形成方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构，包括：基板、栅线、栅电极、栅极绝缘薄膜、有源层孤岛、数据线、源电极、漏电极、透明导电薄膜及钝化绝缘薄膜等部分，其中栅极绝缘薄膜为非保形结构或钝化绝缘薄膜为非保形结构，或栅极绝缘薄膜和钝化绝缘薄膜同时为非保形结构。本发明同时公开了两种非保形绝缘薄膜的形成方法及利用该形成方法制造的TFT LCD阵列基板结构。本发明能够消除源漏电极和像素电极断线引起的薄膜晶体管器件不可视缺陷，减少液晶显示器检测出现的坏点及提高生产成品率和优良品比例。 | ||
| 申请公布号 | CN100524780C | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200610149885.7 | 申请日期 | 2006.10.27 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 龙春平 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘 芳 |
| 主权项 | 1、一种非保形的绝缘薄膜的形成方法，其特征在于，包括：步骤1，提供一个基板；步骤2，在化学气相沉积设备里放置阵列基板，向反应腔通入反应气体和惰性气体，在薄膜沉积的同时进行薄膜刻蚀，形成非保形的绝缘薄膜；所述步骤2中薄膜刻蚀和薄膜沉积的速率之比是0.01至0.1之间。 | ||
| 地址 | 100176北京经济技术开发区西环中路8号 | ||