| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在衬底的顶面处形成薄膜；抛光所述衬底的背面；以及在抛光所述背面后，抛光形成在所述衬底的所述顶面处的所述薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100514549C | 申请公布日期 | 2009.07.15 |
| 申请号 | CN200610093142.2 | 申请日期 | 2006.06.22 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福岛大;南幅学;矢野博之 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李 峥 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底的顶面处形成薄膜；将所述薄膜的表面部分用作保护膜，抛光所述衬底的背面；以及在抛光所述背面后，抛光所述薄膜的所述表面部分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||