集成单晶MEMS器件

摘要

一种制造集成在硅衬底中的MEMS器件的方法。在制造MEMS器件的同时，可以加工诸如具有高电容密度的沟槽电容器之类的无源元件。该方法尤其适合于谐振频率在10MHz范围内的MEMS谐振器。

主权项

1. 一种制造MEMS器件的方法，该方法包括以下步骤：-提供具有顶部侧和底部侧的器件衬底(10)；-在器件衬底(10)的顶部侧提供至少一个沟槽(20)，所述沟槽限定了可动结构(1000)的形状；-在器件衬底(10)的顶部侧提供至少一个导电区域，并且该导电区域的至少一部分形成了附在该可动结构(1000)上的至少一个可动电极(30)；-在器件衬底(10)的顶部侧提供电介质层(40)，该电介质层至少部分地覆盖了所述导电区域；在器件衬底(10)的顶部侧提供并构造导电电极层(50)；在电介质层(40)中提供至少一个定位点(100)；-在器件衬底(10)的顶部侧提供并构造导电结构层(70)，并且该导电结构层(70)将所述可动结构(1000)定位在所述定位点(100)处；-通过所构造的结构层(70)来部分地去除所述电介质层(40)；-在限定了可动结构(1000)的形状的沟槽(20)下面的限定区域内从器件衬底(10)的底部侧去除器件衬底(10)，至少直到到达限定了可动结构(1000)的形状的沟槽(20)；以及-释放所述可动结构(1000)。