| 摘要 |
目的在于提供一种相当于单位设置面积之生产性高的半导体制造装置。真空处理装置具备：多数晶圆盒平台，其上载置晶圆盒；真空搬送室，于上述大气搬送室背面侧和其连结而配置，平面形状具有多角形状，被减压之内部用于搬送上述晶圆；及多数真空处理室，于该真空搬送室侧面以可装拆方式被连结、相邻而配置，用于处理由上述真空搬送室被搬送至内部的上述晶圆；其特征为：上述多数真空处理装置，系包含：多数蚀刻处理室，用于进行上述晶圆之蚀刻处理；及至少1个去灰处理室，用于进行上述晶圆之灰化处理；该去灰处理室由上述真空搬送室之上述前面看时被连结于左右之一方之侧之侧面，上述大气搬送室靠近该去灰处理室所连结之上述一方之侧而配置。 |
