| 发明名称 | 改进的化学机械抛光垫以及制造和使用这种抛光垫方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种形状记忆化学机械抛光垫，其中形状记忆化学机械抛光垫包括致密状态下的抛光层。同样提供了制造形状记忆化学机械抛光垫的方法和使用它们来抛光衬底的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101428403A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200810188791.X | 申请日期 | 2008.08.15 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 | 发明人 | R·赫里哈;R·V·帕拉帕思;B·J·维宁 |
| 分类号 | B24D11/00(2006.01)I;B24D17/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | B24D11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈哲锋 |
| 主权项 | 1. 一种形状记忆化学机械抛光垫，用于抛光从磁衬底、光学衬底和半导体衬底中选择的至少一种衬底；所述抛光垫包括：致密状态的抛光层；其中抛光层包括在原始形状和可程式化形状之间转变的形状记忆基体材料；其中当形状记忆基体材料处于初始形状时，抛光层呈现出初始厚度OT；其中当形状记忆基体材料处于可程式化形状时，抛光层呈现出致密状态下的致密厚度DT；其中DT≤OT的80％；其中当形状记忆基体材料的温度从(Tg-20)℃上升到(Tg+20)℃时，形状记忆基体材料的储能模量降低了≥70％；其中抛光层具有适应于抛光衬底的抛光表面。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||