| 发明名称 | 用于将半导体衬底键合到金属衬底的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种将半导体衬底键合到金属衬底的方法。在一些实施例中该方法包括在半导体衬底中形成半导体器件，该半导体器件包括第一表面。该方法还包括获得金属衬底。将该金属衬底键合到该半导体器件的第一表面，其中该金属衬底的至少一部分形成该半导体器件的电气端子。 | ||
| 申请公布号 | CN101432846A | 申请公布日期 | 2009.05.13 |
| 申请号 | CN200780011770.4 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | 费查尔德半导体有限公司 | 发明人 | 王琦;H·耶尔马兹;励敏华;C-L·吴 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈 炜 |
| 主权项 | 1. 一种将半导体衬底键合到金属衬底的方法，包括：在半导体衬底中形成半导体器件，所述半导体器件包括第一表面；获得金属衬底；将所述金属衬底键合到所述半导体器件的所述第一表面，其中所述金属衬底的至少一部分形成所述半导体器件的电气端子。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||