具有精细埋置绝缘层之ＳＯＩ底材

摘要

制作具有厚度在2至25nm间之精细埋置绝缘层之半导体构造6，6'，6'''之方法，其包含以下步骤：于一第一底材1之一表面3'及/或一第二底材2之一表面4'之上形成至少一绝缘层3，4，该些表面3'，4'没有绝缘层或由于底材曝露于环境中而呈现一原始氧化层；组合该第一及第二底材1及2；将该第一底材1薄化，以便获得该半导体构造，该绝缘层形成步骤系由以一种氧化及/或氮化气体为基础的电浆活化步骤所构成。