半导体装置及其金属栅极的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其金属栅极的形成方法。其形成方法包括：提供一个基底，其上具有一个栅极；形成多个薄膜，具有位于基底与栅极上的第一薄膜，以及位于第一薄膜旁边的第二薄膜；刻蚀薄膜以形成多个相邻的隔离物，具有位于基底上且位于栅极旁边的第一隔离物，以及位于上述第一隔离物旁边的第二隔离物；刻蚀第一隔离物；形成一个紧邻栅极的金属层；以及使金属层与栅极发生反应，以形成一个金属栅极。本发明金属栅极的形成方法，可以形成不同材料的栅极，并且具有不同厚度的栅介电层，因而能够提高半导体装置的性能。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于包括：一个基底；一个位于所述基底上的金属栅极；一个位于所述基底上且位于所述金属栅极的旁边的第一隔离物；以及一个位于所述第一隔离物上和所述金属栅极的周围且与所述金属栅极分离的一个第二隔离物。