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Eine Halbleitervorrichtung (10a) beinhaltet ein Halbleitersubstrat (11) mit einer Hauptoberfläche (12) und ein Halbleiterelement mit einem Feldeffektabschnitt mit isoliertem Gate, das in dem Halbleitersubstrat (11) ausgebildet ist. Das Halbleiterelement beinhaltet eine n--Region (101), eine n-Typ-Sourceregion (103), eine p-Typ-Basisregion (105), eine n+-Region (107) und eine Gateelektrode (113). Die n--Region (101) und die n-Typ-Sourceregion (103) sind in der Hauptoberfläche (12) ausgebildet. Die p-Typ-Basisregion (105) ist in der Hauptoberfläche (12) benachbart zu der n-Typ-Sourceregion (103) ausgebildet. Die n+-Region (107) ist in der Hauptoberfläche (12) benachbart zu der p-Typ-Basisregion (105) und gegenüber der n-Typ-Sourceregion (103) mit der dazwischengefügten p-Typ-Basisregion (105) ausgebildet und weist eine Verunreinigungskonzentration auf, welche höher als jene der n--Region (101) ist. Die n--Region ist in der Hauptoberfläche (12) benachbart zur p-Typ-Basisregion (105) und zu der n+-Region (107) ausgebildet.
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