半导体装置、半导体装置之制造方法、高载子移动度电晶体及发光装置

摘要

本发明系提供半导体装置，半导体装置之制造方法，高载子移动度电晶体及发光装置。半导体装置系具备：包含氮及镓之半导体层；欧姆连接于前述半导体层之导电层；金属为分布且存在于前述半导体层与前述导电层之间的界面之金属分布区域；及前述金属的原子为进入且存在于前述半导体层之金属侵入区域。