SONOS快闪存储器的制作方法

摘要

一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次具有介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构；进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极后，沿字线方向进行刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构，形成多晶硅栅极结构阵列；形成覆盖多晶硅栅极结构阵列的介电层；去除腐蚀阻挡层；形成将多晶硅栅极结构沿字线方向连接的多晶硅层。本方法避免在介电层的侧壁以及介电层之间产生多晶硅残留，防止漏电流发生。

主权项

1. 一种SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次具有介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层；沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构，形成沿位线方向的开口；通过开口位置进行离子注入，在半导体衬底内形成源极和漏极；沿字线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构，形成多晶硅栅极结构阵列；形成覆盖多晶硅栅极结构阵列的介电层，并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层；在第一多晶硅层以及介质层表面形成第二多晶硅层，并沿字线方向刻蚀所述第二多晶硅层，直至暴露介质层。