| 发明名称 | 图案化方法和场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 说明了一种图案化方法等，其中具有T形截面的填充材料(22)用作图案化期间的掩模，以制造具有亚光刻尺寸，尤其是双翼场效应晶体管的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101373790A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200810210675.3 | 申请日期 | 2004.09.28 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | H·图斯;R·费尔哈伯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王小衡 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管(100)，具有两个沟道连接区(104、106)，具有包含至少两个控制区部分的控制区(52、62)，具有有源区，该有源区形成为单晶衬底(10c)的突起(56)，且一方面布置在沟道连接区(104、106)之间，另一方面布置在两个控制区部分之间，以及具有电绝缘且布置在控制区部分和有源区(56)之间的绝缘区(50、60)，突起(56)与衬底(10c)在其基部通过电绝缘的绝缘材料(82)隔离，以及绝缘材料(82)横向地终止于单晶衬底(10c)中的突起(56)处。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||