| 发明名称 |
半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
本发明有关半导体装置之制造方法，在步骤S101中，藉由喷溅法形成TiW膜使其覆盖于在半导体元件之表面上形成的表面保护膜及垫电极。接着于TiW膜上形成Au膜。在步骤S103中，将Au膜作为电镀用电极使用，于Au膜上形成Au凸块。在步骤S105中去除无用的Au膜，在步骤S106中去除无用的TiW膜。在步骤S107中，将残留于已去除无用TiW膜之区域的碘去除。 |
| 申请公布号 |
TW200908174 |
申请公布日期 |
2009.02.16 |
| 申请号 |
TW097112664 |
申请日期 |
2008.04.08 |
| 申请人 |
夏普股份有限公司 |
发明人 |
二江则充;堀尾正弘;泽井敬一;渡边裕二;小山康弘;川上克二 |
| 分类号 |
H01L21/60(2006.01);H01L21/321(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文;林宗宏 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
