半导体器件以及其制造方法

摘要

由于大量流通，并且回收成本庞大，因此在用完即扔的无线IC芯片中，制造单价的削减作为问题而存在。为了削减制造单价，在为了削减制造单价而单纯地将天线嵌入芯片中的无线IC芯片中，从利用的应用情况、读取的器械的读取精度来看，扩大以往已知的无线IC芯片的搭载天线尺寸，或增大读取装置的输出功率，就可以谋求通信距离的扩大，但却不能谋求对于微小芯片的片上芯片化。在本申请中，由于半导体衬底是导体，因此当从外部向片上天线付与交流磁场时，原理上产生涡流，因此基于作为设计参数可以使用衬底厚度的发现，为了减少或消除由该涡流导致的能量的损失，通过谋求衬底厚度的薄型化，并将电磁波能量活用于本来的半导体电路动作，防止能量的无效吸收，其结果，增大流过片上天线的电流量，从而获得通信距离扩大。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具有：硅衬底；金制的天线；绝缘层；以及集成电路，形成在硅衬底表面上，处理从上述天线以2.45GHz频带的电磁波接收发送的信息；其中按上述天线、绝缘层、集成电路的顺序在上述硅衬底表面上层叠；上述硅衬底的厚度小于等于200微米，天线宽度以及厚度大于等于2.6微米、小于等于5微米。