| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf eine Kondensatorstruktur eines Halbleiterbauelements oder eines integrierten Schaltkreisbauelements, wobei die Kondensatorstruktur eine Mehrzahl von unteren Kondensatorelektroden (134a) beinhaltet, die sich von einer darunterliegenden Basis (100, 110, 120) aus erstrecken, wobei die unteren Kondensatorelektroden jeweils eine innere Seitenwand und eine äußere Seitenwand beinhalten, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung derselben. Erfindungsgemäß beinhaltet die Kondensatorstruktur des Weiteren wenigstens eine Stützstruktur (136b), die sich zwischen wenigstens zwei der unteren Kondensatorelektroden von oberen Teilen derselben entgegengesetzt zu der Basis und entlang der äußeren Seitenwände derselben in Richtung zu der Basis mit einer Tiefe erstreckt, die größer als ein lateraler Abstand zwischen benachbarten der unteren Kondensatorelektroden ist. Eine dielektrische Schicht (138) wird auf der Stützstruktur und auf der äußeren Seitenwand der unteren Kondensatorelektroden gebildet. Eine obere Kondensatorelektrode (139) wird auf der dielektrischen Schicht gebildet. Verwendung z. B. für Halbleiterspeicherbauelemente vom DRAM-Typ.</p> |
