横向扩散金氧半电晶体

摘要

本发明提供一种横向扩散金氧半电晶体,包括:一基底;一汲极,形成于该基底上;一源极,形成于该基底上,包含复数个各自独立之次源极且分别对应该汲极之不同面;复数个通道区,形成于该基底中,且位于该等次源极与该汲极之间;一闸极,覆盖部分之该等次源极与通道区;以及一漂移层,形成于该基底中,位于该汲极下方。