| 发明名称 | 用于形成光交联固化的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。 | ||
| 申请公布号 | CN101322074A | 申请公布日期 | 2008.12.10 |
| 申请号 | CN200680045563.6 | 申请日期 | 2006.12.01 |
| 申请人 | 日产化学工业株式会社 | 发明人 | 竹井敏;堀口有亮;桥本圭祐;中岛诚 |
| 分类号 | G03F7/11(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/11(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;田欣 |
| 主权项 | 1.一种形成下层膜的组合物，是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||