发明名称 |
过滤元件及其生产方法 |
摘要 |
本发明涉及一种生产过滤元件的方法,所述方法包括以下步骤:S1)施加膜层(1)到载体衬底(2)上;S2)在与膜层(1)相对的载体衬底(2)面上蚀刻膜室(3),从而只保留载体衬底(2)的一个残余层(5);S 3)在膜层(1)中产生孔(6)以便形成穿孔膜;S4)通过蚀刻除去残余层(5)以便暴露膜层(1);S5)对膜层(1)进行附加处理以提高机械阻力,所述处理发生在步骤S1中或在后续步骤中。膜层由于所述处理具有结晶结构和/或压缩结构和产物,其中结晶结构具有相对于膜层(1)的原料提高的机械阻力,由此优选产生其中的内部初始应力。 |
申请公布号 |
CN100434150C |
申请公布日期 |
2008.11.19 |
申请号 |
CN200480026348.2 |
申请日期 |
2004.07.03 |
申请人 |
NFT纳米过滤技术有限责任公司 |
发明人 |
W·霍夫曼 |
分类号 |
B01D71/02(2006.01);B01D67/00(2006.01) |
主分类号 |
B01D71/02(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
范赤;李连涛 |
主权项 |
1.一种生产过滤元件的方法,包括以下连续步骤:S1)施加膜层到载体衬底上,S2)在与膜层相对的载体衬底面上蚀刻膜室,从而仍保留载体衬底的残余层,S3)通过光刻和蚀刻方法在膜层中产生孔以便形成穿孔膜,S4)通过蚀刻除去膜室的残余层以便暴露膜室的膜层,S5)其中在步骤S1中或在后续步骤中对膜层进行附加处理以提高其机械强度,所述附加处理包括以下:S51)在步骤S1中在膜层中形成晶核;和/或S52)在步骤S1和/或S5中,通过加热,温度处理载体层和膜层的结构以提高膜层中的结晶量;和/或S53)在步骤S5中热等静压载体层和膜层的结构以提高膜层中的结晶量;和/或S54)在步骤S1或S5中在膜层中产生内部预应力。 |
地址 |
德国巴特洪堡 |