| 摘要 |
根据经过适当设计之制造流程而形成用于SOI装置中之基材二极体(substrate diode)，其中可在实质上不会影响到二极体特性之情形下实施电晶体效能增强机制。在一面向中，可在形成了用来界定汲极及源极区的对应的侧壁间隔件结构(sidewall spacer structure)之后，形成基材二极体的各别开孔，因而得到了二极体区中之掺杂剂(dopant)的显着横向分布(lateral distribution)，因而可根据电晶体装置中之间隔件的去除，而在后续的矽化制程序列期间提供充分的制程范围(margin)。在进一步之面向中，在额外的或替代的方式下，可在实质上不会影响到各别电晶体装置的组构(configuration)之情形下形成偏移(offset)间隔件。 |
