发明名称 半导体记忆装置及其写入控制方法
摘要 本发明旨在提供一种写入方法与装置,可隐藏相变化记忆体等相对而言较长之写入时间,并实现随机写入。本发明中包含:读取资料锁存器101,保存来自相变化记忆体单元之读取资料并锁存自外部所输入之写入资料;写入资料锁存器102,保存至写入开始为止之既定周期之期间写入记忆体单元之资料;及传送开关105,控制有无将读取资料锁存器之输出传送至写入资料锁存器;且读取资料锁存器保存自外部所输入之写入资料,藉由传送开关将其存放于写入资料锁存器中,并包含:比较电路106,判定保存于写入资料锁存器中之资料与读取资料锁存器之资料是否一致;及写入旗标锁存器103,用以锁存比较电路之输出;并且仅在显示存在有写入要求且比较电路之比较结果不一致之情形下执行写入,仅于必要之位元执行写入。
申请公布号 TW200842873 申请公布日期 2008.11.01
申请号 TW096150044 申请日期 2007.12.25
申请人 尔必达存储器股份有限公司 发明人 中井洁
分类号 G11C11/4197(2006.01) 主分类号 G11C11/4197(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本