发明名称 氧化锌制程结构及制作方法
摘要 一种氧化锌制程结构及制作方法,系选择一铝酸锂(LiAlO#sB!2#eB!)作为基板,并在该铝酸锂基板上生长一单晶薄膜之氧化锌(ZnO)缓冲层,藉此,利用该铝酸锂基板生长非极性氧化锌(nonpolar ZnO),并由其结构间之相似,使此方向之氧化锌可有效将量子局限史塔克效应(Quantum Confined Stark Effect,QCSE)移除,进而达到晶格匹配(lattice match)并获得良好之晶体介面品质,以提升发光效率及后续完成之器件性能。另亦可进一步植入异质接面、多重量子井(Multiple Quantum Well,MQW)或超晶格等低维结构结合为一光电元件,如发光二极体、压电材料或雷射二极体等,以提升发光效率。
申请公布号 TW200839960 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW096110017 申请日期 2007.03.22
申请人 国立中山大学;中美矽晶制品股份有限公司 发明人 周明奇;吴季珍;徐文庆
分类号 H01L21/84(2006.01) 主分类号 H01L21/84(2006.01)
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项
地址 新竹市工业东二路8号