| 发明名称 | 一种晶体管T型纳米栅的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制作方法，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上淀积一层氮化硅或二氧化硅介质；B、在所述氮化硅或二氧化硅介质上匀第一层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶，然后前烘；D、在所述第二层电子束胶上匀第三层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E、进行栅版电子束曝光；F、依次显影第三层电子束胶ZEP520A，易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶和第一层电子束胶ZEP520A；G、等离子刻蚀所述氮化硅或二氧化硅介质；H、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。利用本发明，不存在套刻对准问题，工艺简单，容易制作出小尺寸的栅线条，可靠性强。 | ||
| 申请公布号 | CN101276750A | 申请公布日期 | 2008.10.01 |
| 申请号 | CN200710064854.6 | 申请日期 | 2007.03.28 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘亮;张海英;刘训春 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1. 一种晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上淀积一层氮化硅或二氧化硅介质；B、在所述氮化硅或二氧化硅介质上匀第一层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶，然后前烘；D、在所述第二层电子束胶上匀第三层电子束胶ZEP520A，然后前烘；E、进行栅版电子束曝光；F、依次显影第三层电子束胶ZEP520A，易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶和第一层电子束胶ZEP520A；G、等离子刻蚀所述氮化硅或二氧化硅介质；H、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||