发明名称 低纹波高可靠性大容量电容稳压充电电路
摘要 本发明公开了一种低纹波高可靠性大容量电容稳压充电电路,其中IGBT开关(T1)发射极和输出充电电容C2之间串联功率电阻R3,电阻R3限制起始充电电流,保护电容C2和IGBT开关(T1),并起短路保护的作用;稳压管Z1防止IGBT开关(T1)的门极电压过高击穿;本发明充电电路电压稳定、静态功耗低,改进了常规使用开关电源设计电容充电电路时元器件多、纹波大、电磁干扰强,可靠性、安全性低的缺点。本发明充电电路适用于低速,重复频率不高电且压较高的大容量电容充电场合。
申请公布号 CN100423400C 申请公布日期 2008.10.01
申请号 CN200610089062.X 申请日期 2006.08.01
申请人 北京航空航天大学 发明人 武建文;黄毕尧
分类号 H02J7/00(2006.01);G05F1/56(2006.01);G05F1/569(2006.01);G05F1/573(2006.01) 主分类号 H02J7/00(2006.01)
代理机构 北京永创新实专利事务所 代理人 周长琪
主权项 1. 一种低纹波高可靠性大容量电容稳压充电电路,其特征在于:所述充电电路中IGBT开关(T1)的发射极与电容C2之间串联有电阻R3,IGBT开关(T1)的门极与三极管(T2)的集电极之间串联有电阻R2,IGBT开关(T1)的集电极与三极管(T2)的集电极之间联接有电阻R1,IGBT开关(T1)的门极与发射极之间联接有稳压管Z1,三极管(T2)的发射极与地(GND)之间联接有稳压管Z2,三极管(T2)的发射极与基极之间联接有二极管D3,三极管(T2)的发射极与电阻R3的与电容C2联接端之间联接有电阻R6,三极管(T2)的基极与电阻R3的与电容C2联接端之间联接有电阻R4,三极管(T2)的基极与地(GND)之间联接有电阻R5,电阻R3的与电容C2联接端与地(GND)之间联接有电阻R7,电阻R3与地(GND)之间联接有电容C2,输入电压和IGBT开关(T1)的集电极之间联接有二极管D1,二极管D1的阴极与地(GND)之间联接有电容C1。
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