发明名称 | 高功率发光二极体 | ||
摘要 | 一种高功率发光二极体,包含相间隔的一第一导电支架与一第二导电支架、一体地形成于该第一导电支架散热部顶端的聚光灯座、一黏设于该聚光灯座内的发光晶片组、一封装体,以及一包括二散热块与一锁接件的散热单元。该第一导电支架包括一散热部,其具有二分别位于前、后侧之大面积的散热面,及一沿前后方向贯穿的第一锁接孔。该封装体覆设于该等导电支架顶端、该聚光灯座及该发光晶片组上。该二散热块分别贴靠于该等散热面的一侧,并各具有一沿前后方向贯穿的第二锁接孔。该锁接件穿设于该等锁接孔中,用以将该二散热块与该散热部结合在一起。 | ||
申请公布号 | TW200836370 | 申请公布日期 | 2008.09.01 |
申请号 | TW096106493 | 申请日期 | 2007.02.26 |
申请人 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发明人 | 张汉錡;庄世任 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 蔡坤财;李世章 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市中央路3段76巷25号 |