发明名称 一种应用光纤耦合的半导体激光器的外腔相干锁相方法
摘要 本发明涉及一种应用光纤耦合的半导体激光器的外腔相干锁相方法,属于激光多光束整形、耦合及其相干光模式锁定技术领域。在半导体激光器阵列(1)的前面设置有聚焦准直透镜(2),在聚焦透镜准直透镜(2)的另一面并对应半导体激光器阵列(1)的每个发光单元粘贴上光纤,所粘贴的光纤组成光纤阵列(3),假设发光单元的个数为N。将光纤阵列(3)直接熔接到一根多模光纤(5)中,在多模光纤(5)的另一端通过多模光纤分束器(6)再熔接上N根光纤,在该N根光纤的相同长度的位置熔接上作为外腔反射镜的光纤光栅。这样即能有效的对激光器输出光进行高效率的反馈,又能避免了外界因数对激光器外腔的影响,减少了谐振和传输中的光损耗。
申请公布号 CN100409055C 申请公布日期 2008.08.06
申请号 CN200610113043.6 申请日期 2006.09.08
申请人 北京工业大学 发明人 张亮;王智勇;左铁钏
分类号 G02B6/42(2006.01);G02B6/34(2006.01);G02B6/26(2006.01) 主分类号 G02B6/42(2006.01)
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人 沈波
主权项 1. 一种应用光纤耦合的半导体激光器的外腔相干锁相方法,其特征在于,该方法是按如下步骤实现的:在半导体激光器阵列(1)发光单元的前面设置有聚焦准直透镜(2),在聚焦准直透镜(2)的另一面、并对应半导体激光器阵列(1)的每个发光单元的位置分别粘贴上光纤,所粘贴的光纤组成光纤阵列(3),假设半导体激光阵列的发光单元的个数为N,即光纤阵列(3)中的光纤数为N,然后将光纤阵列(3)直接熔接到一根多模光纤(5)中,在多模光纤(5)的另一端通过多模光纤分束器(6)再熔接上N根光纤,在该N根光纤的相同长度的位置熔接或制备上Bragg光纤光栅,或者将其中N-1根光纤直接熔接到一个多模光纤光栅(28)上,另一根主输出端熔接上与多模光纤光栅(28)同样直径大小和纤芯直径的光纤光栅S(29)。
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