| 发明名称 |
III-nitride power semiconductor device |
| 摘要 |
A III-nitride power semiconductor device that includes a two dimensional electron gas having a low field region under the gate thereof.
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| 申请公布号 |
US7408208(B2) |
申请公布日期 |
2008.08.05 |
| 申请号 |
US20070725430 |
申请日期 |
2007.03.19 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
HERMAN THOMAS |
| 分类号 |
H01L31/0328 |
主分类号 |
H01L31/0328 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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