发明名称 |
具有离子束跳动回复的快速离子束偏转的晶圆扫描离子布植机 |
摘要 |
一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置,其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压,离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时,离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口,以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法,使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。 |
申请公布号 |
CN101218658A |
申请公布日期 |
2008.07.09 |
申请号 |
CN200680004113.2 |
申请日期 |
2006.02.03 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
罗素·J·罗;郭登·C·安裘 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01);H01J37/147(2006.01);H01J37/304(2006.01) |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
左一平 |
主权项 |
1.一种离子布植机,包含:离子束的来源,具有沿离子束路径行进且在布植操作过程中静止的末端离子束部分;目标台,操作以在所述布植操作过程中越过所述离子束的所述静止的末端离子束部分扫描半导体晶圆;离子束偏转装置,操作以(1)回应于第一操作条件的第一离子束偏转电压而将所述离子束导向所述离子束路径上,以使得所述末端离子束部分撞击所述半导体晶圆,且(2)回应于第二操作条件的第二离子束偏转电压而将所述离子束导离所述离子束路径,以使得所述末端离子束部分不撞击所述半导体晶圆;以及离子束控制电路,在所述第二操作条件过程中操作以借由自所述第二离子束偏转电压快速地切换为所述第一离子束偏转电压而转变所述离子布植机为所述第一操作条件。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |