| 发明名称 | 使用超临界溶剂的结晶制造方法、结晶生长装置、结晶及器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质，通过溶剂热法进行结晶生长，从而控制结晶的析出位置，提高结晶的收率，此外，防止在结晶中混入杂质，从而使结晶高纯度化。本发明的结晶制造方法是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长，其特征在于，在该反应容器中存在满足式(1)且与该溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置。 | ||
| 申请公布号 | CN101213327A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200680023605.6 | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 川端绅一郎;吉川彰;镜谷勇二;福田承生 |
| 分类号 | C30B7/10(2006.01);C30B29/16(2006.01);C30B29/18(2006.01);C30B29/38(2006.01) | 主分类号 | C30B7/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | 1.一种结晶制造方法，其是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长的结晶制造方法，其中，在该反应容器中存在满足下述式(1)且与上述溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，并且，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置，[数学式1] | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||