| 发明名称 | 多芯片半导体封装结构及封装方法 | ||
| 摘要 | 一种多芯片半导体封装方法，包括下列步骤：提供引线框架和至少两个芯片，所述引线框架包括管芯垫和位于管芯垫外围的引线，在管芯垫上有通孔且位于管芯垫边缘；将第一芯片的基底相对面与管芯垫粘合；穿过通孔将第一芯片与引线电连接；将第二芯片的基底面与管芯垫粘合，所述第二芯片与第一芯片位于管芯垫的相对面；将第二芯片与引线电连接；将其余芯片堆叠在第一芯片和第二芯片之上且与引线电连接；将至少两个芯片和引线框架封装成型。经过上述步骤，简化多芯片封装制程的效果，提升封装电路的密度；同时降低制造成本，并增强电路运作的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101211897A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200610148239.9 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王津洲 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/495(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种多芯片半导体封装结构，包括：引线框架和至少两个芯片，所述引线框架包括管芯垫和位于管芯垫外围的引线，其中第一芯片和第二芯片位于管芯垫相对面，其余芯片堆叠在第一芯片和第二芯片之上，第二芯片的基底面与管芯垫粘合，其特征在于，管芯垫上有通孔且位于管芯垫边缘，第一芯片的基底相对面与管芯垫粘合，穿过通孔将第一芯片与引线电连接。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||