具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺

摘要

一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件及其工艺，该晶体管元件包含有一多晶硅栅极，其具有相对的侧壁结构，且形成在半导体衬底的有源区域上，该多晶硅栅极并具有栅极线宽L；侧壁子，设于该多晶硅栅极的该侧壁结构的较低部位上；一第一金属硅化物层，其厚度约略等于离该侧壁子上端的垂直高度H，且该第一金属硅化物层由该多晶硅栅极的暴露上半部所形成，其中该垂直高度H需大于该栅极线宽L；一漏极/源极扩散区域，设于该半导体衬底上，且接近该多晶硅栅极；以及第二金属硅化物层，形成于该漏极/源极扩散区域上，其中该第一金属硅化物层的厚度大于该第二金属硅化物层的厚度。

主权项

1.一种金属氧化物半导体晶体管元件，包含有：一多晶硅栅极，其具有相对的侧壁结构，且形成在半导体衬底的有源区域上，该多晶硅栅极并具有栅极线宽L；侧壁子，设于该多晶硅栅极的该侧壁结构的较低部位上；一第一金属硅化物层，其厚度等于离该侧壁子上端的垂直高度H，且该第一金属硅化物层由该多晶硅栅极的暴露上半部所形成，其中该垂直高度H需大于该栅极线宽L；一漏极/源极扩散区域，设于该半导体衬底上，且接近该多晶硅栅极；以及第二金属硅化物层，形成于该漏极/源极扩散区域上，其中该第一金属硅化物层的厚度大于该第二金属硅化物层的厚度。