| 发明名称 | 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方案提供一种条状或封闭单元沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(TMOSFET)。该条状或封闭单元TMOSFET包括源极区、位于源极区上方的体区、位于体区上方的漂移区、位于漂移区上方的漏极区。栅极区位于源极区上方并与体区相邻。栅极绝缘区将栅极区与源极区、体区、漂移区和漏极区电隔离。体区电连接至源极区。 | ||
| 申请公布号 | CN101208803A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200580050260.9 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 维税－希力康克斯公司 | 发明人 | 德瓦·帕塔那亚克;詹森·吉安哈伊·齐;白宇明;卡姆－弘·卢伊;罗纳德·翁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜有;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种条状单元沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(TMOSFET)，其包括：源极区；位于所述源极区上方的多个栅极区，其中所述多个栅极区形成为基本平行的伸长结构；多个栅极绝缘区，其中所述多个栅极绝缘区中的每一个位于所述多个栅极区中的相应一个的周围；位于所述源极区上方和所述多个栅极绝缘区之间的多个体区；位于所述多个体区上方和所述多个栅极绝缘区之间的多个漂移区；和位于所述多个漂移区上方和所述多个栅极绝缘区之间的多个漏极区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||