| 发明名称 | 通孔的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤：提供表面具有第一金属层的衬底；在所述衬底上沉积介电层，并在所述介电层上形成通孔开口，且所述通孔开口的底部与所述第一金属层相连；在所述介电层上和所述通孔开口的侧壁及底部沉积具有第一厚度的粘附层；利用等离子体轰击去除所述通孔开口底部的粘附层；沉积具有第二厚度的粘附层，且所述第二厚度小于所述第一厚度；在所述介电层上和通孔开口内形成第二金属层。本发明的通孔的形成方法，降低了两层金属间的应力，改善了多层金属互连线的热稳定性，可靠性，延长了其使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN101207066A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200610147795.4 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王琪 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种通孔的形成方法，包括步骤：提供表面具有第一金属层的衬底；在所述衬底上沉积介电层，并在所述介电层上形成通孔开口，且所述通孔开口的底部与所述第一金属层相连；在所述介电层上和所述通孔开口的侧壁及底部沉积具有第一厚度的粘附层；利用等离子体轰击去除所述通孔开口底部的粘附层；沉积具有第二厚度的粘附层，且所述第二厚度小于所述第一厚度；在所述介电层上和通孔开口内形成第二金属层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||