发明名称 用于等离子体处理腔的元件的石英表面的湿清洁方法
摘要 本发明公开了用于湿清洁元件的石英表面的方法,所述元件用于其中处理半导体基材的等离子体处理腔,如刻蚀腔和抗蚀剂剥离腔,该方法包括将石英表面与至少一种有机溶剂,碱性溶液和不同的酸溶液接触,这样从石英表面除去有机和金属污染物。石英表面优选与一种酸溶液接触至少两次。
申请公布号 CN101194046A 申请公布日期 2008.06.04
申请号 CN200580024099.8 申请日期 2005.06.03
申请人 兰姆研究公司 发明人 石洪;黄拓川;D·奥塔卡;J·库奥;刘身健;B·莫雷;A·陈
分类号 C23G1/02(2006.01);B08B3/04(2006.01);B08B3/00(2006.01);B08B3/14(2006.01) 主分类号 C23G1/02(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 余刚;李丙林
主权项 1.一种用于湿清洁元件的至少一个石英表面的方法,所述元件用于其中处理半导体基材的等离子体处理腔,该方法包括:a)将该元件的至少一个石英表面与至少一种可有效地从石英表面脱脂和除去有机污染物的有机溶剂接触;b)在a)之后,将石英表面与可有效地从石英表面除去有机和金属污染物的弱碱性溶液接触;c)在b)之后,将石英表面与可有效地从石英表面除去金属污染物的第一酸溶液接触;d)在c)之后,将石英表面与包含氢氟酸和硝酸的第二酸溶液接触以从石英表面除去金属污染物;和e)视需要重复d)至少一次。
地址 美国加利福尼亚