| 发明名称 | 具有静电放电保护装置的半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，具有一基板(102)、一设置在基板(102)上的组件层(104)、一触点(108)、以及一以适当方式设置在基板(102)及触点(108)之间的静电放电保护装置(144a，144b)，以便在出现静电放电情况时，会发生一从静电放电保护装置(114a，114b)到触点(108)的击穿现象。 | ||
| 申请公布号 | CN100390992C | 申请公布日期 | 2008.05.28 |
| 申请号 | CN02810894.9 | 申请日期 | 2002.05.10 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | K·迪芬贝克;K·格兰恩特;J·胡伯;U·克鲁贝恩 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L29/735(2006.01);H01L29/732(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 赵辛 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，具有：一个基板(102)；一个设置在该基板(102)上并具有一集电极的组件层(104)，此外，组件层(104)内还有一基极(106)和一发射极(110)，且该基极(106)具有形成于该组件层(104)内的一端点触点区(108)；以及一或数个置于该基板(102)及该端点触点区(108)间作为一静电放电保护装置的区域(144a，144b)，其中，该一或数个该区域(144a，144b)设置在与该发射极(110)相对而立的区域外，并具有一高于该基板(102)的掺杂浓度，因此在出现静电放电情况时，从该一或数个区域(144a，144b)到该基极(106)的该端点触点区(108)会发生一击穿现象。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||